Ikhtisar produk
Nice-Tech menawarkan sistem RIBS berukuran 8 inci dan 12 inci, yang menggabungkan sputtering fisik (dari IBS tradisional) dengan gas reaktif untuk pola material yang presisi.
Desain Umum:Pembuatan plasma dipisahkan dari area wafer untuk menghindari-interferensi produk sampingan yang tidak mudah menguap; keduanya mendukung kemiringan/rotasi panggung dan pengaturan ruang tunggal/cluster.
Perbedaan:12-inci disesuaikan untuk produksi massal wafer 12-inci dengan sumber ion berdiameter besar; yang 8 inci kompatibel dengan wafer 8/6/4 inci, ideal untuk produksi menengah-kecil dan penelitian dan pengembangan.
Keuntungan
Keuntungan Umum
- Peningkatan efisiensi & presisi: Memadukan fisika dan kimia meningkatkan tingkat penghilangan material dan selektivitas masker. Kontrol independen atas energi dan fluks berkas ion memastikan morfologi pola yang tajam dan akurat.
- Kemampuan beradaptasi proses yang fleksibel: Kemiringan panggung berkisar dari -90 derajat hingga +80 derajat untuk penyesuaian sudut dinding samping yang tepat. Tahap yang dapat diputar meningkatkan keseragaman, sangat cocok untuk pembuatan perangkat berbentuk khusus.
- Kompatibilitas material yang luas: Bekerja secara mulus dengan logam, paduan, oksida, dan senyawa semikonduktor-yang mengatasi tantangan pola material yang paling rumit sekalipun.
Keunggulan yang Dibedakan
- 12-inci: Menampilkan pengiriman sumber ion berdiameter besar<1% etch uniformity (1σ). Ideal for high-precision 12-inch advanced processes.
- 8 inci: Penawaran<3% uniformity in a compact, cost-effective design. Compatible with multi-size wafers, making it perfect for mature nodes and R&D projects.
Aplikasi
Aplikasi Umum
1. Struktur optik khusus: Menghadirkan kisi-kisi miring dan menyala-kemampuan terdepan di industri kami--untuk sistem komunikasi optik dan teknologi laser.
2. Perangkat semikonduktor yang kompleks: Pola tumpukan logam multi-lapisan dan heterojungsi, menjamin kinerja perangkat yang andal dalam aplikasi-permintaan tinggi.
3. Sensor-presisi tinggi: Membuat MEMS dan sensor optik dengan struktur mikro yang sangat-akurat, yang secara langsung meningkatkan sensitivitas sensor dan stabilitas operasional.
Aplikasi yang Dibedakan
1. 12-inci: Landasan untuk lini produksi lanjutan 12-inci seperti lapisan fungsional MRAM/PCRAM dan chip fotonik silikon. Terintegrasi secara mulus dengan alur kerja manufaktur 12 inci yang ada.
2. 8-inci: Ideal untuk node dewasa berukuran 8 inci (Lebih besar dari atau sama dengan 0,11μm) dan proyek penelitian dan pengembangan, seperti sensor optik mini dan MEMS khusus. Mendukung peralihan ukuran wafer yang fleksibel agar sesuai dengan beragam kebutuhan pengembangan.
Parameter
|
Kategori |
Sistem RIBS 8 inci |
Sistem RIBS 12 inci |
|
Kompatibilitas Wafer |
8 inci (utama); 6 inci/4 inci (opsional, melalui elektroda yang kompatibel) |
12 inci (eksklusif) |
|
Keseragaman Etsa (1σ) |
<3% (standard ion source configuration) |
<1% (large-diameter ion source as standard, for high-precision 12-inch wafer processing) |
|
Kontrol Sinar Ion |
Penyesuaian independen energi dan fluks berkas ion (memungkinkan penyetelan sudut dan kerataan dasar pola secara presisi) |
Penyesuaian independen energi dan fluks berkas ion (memastikan kontrol akurat atas morfologi proses lanjutan) |
|
Rentang Kemiringan Panggung |
-90 derajat hingga +80 derajat (mewujudkan kejadian berkas ion miring untuk kontrol sudut dinding samping) |
-90 derajat hingga +80 derajat (mendukung insiden miring untuk memenuhi persyaratan dinding samping pola yang rumit) |
|
Fungsi Panggung |
Dapat diputar selama proses (meningkatkan aksisimetri proses dan dalam-keseragaman wafer) |
Dapat diputar selama proses (menjamin kualitas pemrosesan yang konsisten pada wafer besar 12 inci) |
|
Lingkungan Proses |
Lingkungan-vakum tinggi (mengurangi gangguan sekitar, memastikan reaksi kimia dan sputtering yang stabil) |
Lingkungan-vakum tinggi (mempertahankan sinergi yang andal antara sputtering fisik dan reaksi kimia) |
|
Konfigurasi Kamar |
Konfigurasi-ruangan atau cluster tunggal (opsional, cocok untuk produksi-kecil dan menengah serta penelitian dan pengembangan) |
Dapat diintegrasikan ke dalam berbagai sistem cluster (kompatibel dengan-jalur proses lanjutan berskala besar berukuran 12 inci) |
|
Kompatibilitas Bahan |
Logam, paduan, oksida, senyawa semikonduktor, isolator (memecahkan tantangan pola material yang kompleks) |
Logam, paduan, oksida, semikonduktor gabungan, dan tumpukan-lapisan (sesuai dengan kebutuhan manufaktur perangkat tingkat lanjut) |
|
Skenario Aplikasi Inti |
Node proses matang berukuran 8-inci (Lebih besar dari atau sama dengan 0,11μm), sensor optik mini, R&D MEMS khusus, produksi komponen kompleks dalam jumlah kecil |
Proses canggih 12-inci (misalnya, lapisan fungsional MRAM/PCRAM), chip fotonik silikon,-manufaktur semikonduktor berskala besar dan berpresisi tinggi |
Pertanyaan Umum
T: Apa perbedaan utama antara sistem RIBS 8 inci dan 12 inci?
J: 12-inci menargetkan produksi massal 12 inci dengan presisi tinggi; 8 inci cocok untuk wafer multi-ukuran (8/6/4 inci) untuk node matang dan penelitian dan pengembangan.
T: Bahan apa saja yang bisa mereka proses?
J: Keduanya menangani logam, paduan, oksida, senyawa semikonduktor, dan isolator.
T: Dapatkah mereka menghasilkan struktur optik khusus?
J: Ya, keduanya unggul dalam kisi-kisi miring/menyala dengan kemampuan-terdepan di industri.
T: Apakah sistem tersebut kompatibel dengan lini produksi yang ada?
J: Ya, keduanya mendukung konfigurasi klaster dan mematuhi standar industri semikonduktor untuk kemudahan integrasi.
Tag populer: sistem pembentukan sinar terbalik, produsen sistem pembentukan sinar terbalik Cina, pemasok
