Proses pembuatan wafer chip CMOS 200mm yang umum.
Deposisi uap kimia adalah teknik yang digunakan dalam pembuatan perangkat mikroelektronik untuk mendepositkan film tipis, yang dapat berupa bahan dielektrik atau semikonduktor. Teknologi pengendapan uap fisik menggunakan gas inert untuk mempengaruhi target sputtering dan menyimpan material yang diinginkan pada permukaan wafer. Suhu tinggi dan lingkungan vakum di dalam ruang reaksi proses dapat menyebabkan atom logam ini membentuk butiran, yang kemudian dapat dipola dan digores untuk mendapatkan rangkaian konduktif yang diinginkan.
Pengembangan optik adalah proses mengubah grafik dari masker foto menjadi film tipis. Pengembangan optik umumnya mencakup langkah-langkah seperti pelapisan photoresist, pemanggangan, penyelarasan cahaya, pemaparan, dan pengembangan. Etsa kering adalah metode etsa yang paling umum digunakan, yang menggunakan gas sebagai media etsa utama dan plasma untuk menggerakkan reaksi. Etsa adalah penghilangan material yang tidak diinginkan dari suatu permukaan.
Pemolesan Mekanis Kimia (CMP) adalah teknologi yang menggabungkan pemolesan mekanis dan pemolesan kimia berbasis larutan asam-basa, yang dapat membuat permukaan wafer relatif rata dan memfasilitasi proses selanjutnya. Selama penggilingan, bubur penggilingan berada di antara wafer dan bantalan penggilingan. Faktor-faktor yang mempengaruhi CMP antara lain tekanan kepala gerinda dan kerataan wafer, kecepatan putaran, komposisi kimia slurry gerinda, dan lain sebagainya.
